本报记者Xv子豪报道:8月3日，韩国知名存储芯片制造商SK海力士宣布成功研发出全球首款业界层数最多的238层NAND闪存，并在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会...

本报记者Xv子豪报道:8月3日，韩国知名存储芯片制造商SK海力士宣布成功研发出全球首款业界层数最多的238层NAND闪存，并在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上发布了首款238层4D NAND闪存新产品SK海力士表示:这款238层NAND闪存在达到业界最高堆栈数的同时，实现了世界上最小的面积

自2020年12月SK海力士完成176层NAND闪存研发以来，仅用了一年零七个月，层数就达到了238层的新高度根据消息显示，SK海力士已经开始向客户发送238层512Gb TLC4D NAND闪存的样品，并计划于2023年上半年正式投入量产负责NAND芯片研发的SK海力士副社长崔郑达表示:基于4D NAND闪存技术，SK海力士在全球首次成功研发出238层NAND闪存，从而确保了在成本，性能和产品质量方面的全球领先竞争力

SK海力士在2018年开发的96层NAND闪存中引入了4D模式与3D模式相比，4D建筑具有单位面积更小，生产效率更高的优势为了成功开发4D架构的芯片，SK海力士采用了电荷俘获技术和PUC技术电荷俘获技术是一种浮栅闪存技术，可以解决单元间的干扰问题因此，与FG技术相比，CTF可以减小芯片的单位面积，提高数据读写性能

PUC技术可以将外围电路置于存储单元之下，以最大化生产效率。

根据消息显示，238层NAND闪存在成功堆叠更高层的同时，实现了业界最小的面积新产品的单位面积密度更高，以其更小的面积可以用相同尺寸的硅片生产更多的芯片，因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代产品提高了50%芯片读取数据时的能耗也降低了21%，在ESG方面也取得了进展

SK海力士计划为PC的存储设备——cSSD供应238层NAND闪存，然后逐步扩展到智能手机和大容量服务器固态硬盘他们还将在2023年发布1Tb密度的238层NAND闪存新产品，密度是现有产品的两倍

目前闪存层数之争已经进入白热化阶段，新闻不断一周前，美国存储芯片巨头美光刚刚宣布全球首款开始量产的232层3D NAND芯片，引领3D NAND芯片进入200+—层时代SK海力士发布了全球首款238层4D NAND闪存，三星，西部数据，铁甲侠等厂商也跃跃欲试可以预见，闪存市场的竞争将会越来越激烈

各厂商的3D NAND闪存堆叠技术原理基本相似，通过堆叠，可以在更小的空间和面积内实现更大的存储容量但各家都有自己的技术架构和演进路线图，并不完全一致，比如三星的V NAND，东芝的BiCS技术3D NAND，英特尔的3D XPoint NAND等研究分析师张显扬告诉记者，SK海力士的4D NAND封装工艺其实和TSMC，英特尔的各种3D NAND技术的开发路线非常相似，本质上是一种3D NAND FLASH不同的是，4D NAND单芯片采用4层架构设计，结合了3D CTF设计和PUC技术SK的4D NAND强调集成度和成本，美光的232层3D NAND更强调存储密度和带宽，产品侧重点不同